东部高科将建8英寸SiC产线,目标2025年供应车用1200V SiC MOSFET

东部高科将建8英寸SiC产线,目标2025年供应车用1200V SiC MOSFET

图源:ETNews集微网动静,东部高科副会长Chang-sik Choi在近来进行的韩国半导体显示技能学会20周年数念勾当上暗示 ,公司规划在位于忠清北道的8英寸晶圆厂设置装备摆设新一代功率半导体出产线 ,方针是在2025年出产并向制品汽车供给首款1200伏 SiC MOSFET。据ETNews报导,东部高科今朝正在测试以及出产6英寸功率半导体,该项目被韩国工业互市资源部选为8英寸SiC MOSFET量产基地设置装备摆设项目 。Chang-sik Choi夸大说:“出产日程有可能会提早 。”“正在堆集6英寸功率半导体的出产技能。”东部高科是韩国最年夜的8英寸硅基晶圆制造商 ,其位于京畿道以及忠清北道的两家晶圆厂今朝为IC设计客户出产功率半导体、模仿电路 、图象传感器 、显示驱动IC (DDI)等产物,两家晶圆厂总产能到达13.8万张/月。公司估计将哄骗忠清北道晶圆厂的闲置空间,设置装备摆设新一代SiC半导体根蒂根基举措措施 。(校对于/隐德莱希)

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